Pengaruh Annealing Terhadap Tingkat Kestabilan Efisiensi Sel Surya p-i-n a-Si:H Doping Delta

Supu, Amiruddin and DM, Dilla and Daud Malago, Jasruddin and Suryani Arsyad, Fitri (2001) Pengaruh Annealing Terhadap Tingkat Kestabilan Efisiensi Sel Surya p-i-n a-Si:H Doping Delta. Indonesian Journal of Physics, 13 (3). ISSN 0854-6878

[img]
Preview
PDF - Published Version
Download (99Kb) | Preview

    Abstract

    Sel surya silikon amorf terhidrogenasi (a-Si:H) dengan lapisan-p yang di doping-delta (d-doped) telah difabrikasi dengan reaktor ganda Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD). Gas silan (SiH4), diboran (B2H6) dan posfin (PH3) masing-masing 10% dalam hidrogen (H2oC menurun dari 8,59 % sampai 6,69 % dengan meningkatnya lama penyinaran dari 0 sampai 2,5 Jam. Efisiensi stabil yang dicapai adalah 7,11 %, yang berarti bahwa terjadi penurunan efisiensi sebesar 17,23 %. Jadi dengan melalui proses annealing terjadi pengurangan penurunan efisiensi.

    Item Type: Article
    Subjects: Q Science > QC Physics
    Divisions: Faculty of Mathematics and Natural Sciences > Department of Physics
    Depositing User: Sujianto Sujianto
    Date Deposited: 24 Sep 2013 22:12
    Last Modified: 24 Sep 2013 22:12
    URI: http://eprints.unsri.ac.id/id/eprint/2713

    Actions (login required)

    View Item